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论文库 |
| 论文编号: | 1466-8033 | |||||||
| 第一作者所在部门: | ||||||||
| 论文题目: | Defect-induced strain relaxation in 3C-SiC films grown on a (100) Si substrate at low temperature in one step1466-8033 | |||||||
| 作者: | Yang B, Zhuang H, Li J H, Huang N, Liu L S, Tai K P, Jiang X | |||||||
| 论文出处（相关负责人）: | ||||||||
| 刊物名称: | CrystEngComm | |||||||
| 年: | 2016 | |||||||
| 卷: | 18 | |||||||
| 期: | ||||||||
| 页码: | 6817-6823 | |||||||
| 联系作者: | Jiang X | |||||||
| 收录类别: | SCI | |||||||
| 影响因子: | 3.849 | |||||||
| 摘要: | ||||||||
| 英文摘要: | ||||||||
| 外单位作者单位: | ||||||||
| 备注: | ||||||||
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