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专利库
专利名称:
在F掺杂SnO2透明导电薄膜基体上原位制备SnO2电子传输层的方法
专利类别:
发明
申请号:
201710481697.2
申请日期:
20170622
专利号:
201710481697.2
第一发明人:
刘岗、甄超、吴金波、成会明
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
20200320
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
状态:
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